DIGITIMES观察，随AI应用快速成长，推升高带宽存储器（HBM）与新型存储器模块需求，全球三大存储器厂商间的竞争格局正出现显着变化。除了次时代HBM技术竞争升温，未来更将扩展至小型压缩附加存储器模块（Small Outline Compression Attached Memory Module，SOCAMM）等新产品。地缘政治风险与政策变动也同步成为影响业者全球布局的关键因素。

受惠AI推动，HBM需求强劲，带动SK海力士（SK Hynix）营业利益率持续改善，并于2025年第一季在DRAM营收上首度超越三星电子（Samsung Electronics），改写长年以来由三星领先的市场格局，凸显AI对存储器市场竞争重塑的影响力。

随着固态技术协会（JEDEC）释出HBM4标准，三大业者的技术竞争将延续至下一时代。未来HBM将须与逻辑芯片（logic die）进行整合，需与晶圆代工夥伴密切协作。SK海力士与美光（Micron）预计持续与台积电合作；三星则倾向采一站式解决方案，并以先进制程与新封装技术因应市场需求，惟其量产良率与技术验证仍具挑战。

除HBM外，业者亦积极开发SOCAMM等高效能存储器模块，以支持AI运算。美光已率先量产SOCAMM，SK海力士则处于样品阶段，由于SOCAMM可能搭载于NVIDIA下时代云端AI服务器芯片，因此将成为三大存储器业者的新战场。

技术以外，地缘政治风险成为存储器产业重大变量。美光因应美国政策积极扩张本土产能，预估未来美国境内产制DRAM将占其整体产能约四成；SK海力士亦计划于美国设立HBM封装厂。虽三星目前未在美国设有存储器生产基地，其位于德州的新建晶圆代工厂仍具导入相关产线的潜力。

DIGITIMES认为，存储器作为AI运算不可或缺的核心元件，美国政策导向与在地化趋势，将是三大业者无法回避的重要课题。